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J-GLOBAL ID：202002230755253957 整理番号：20A1049697

ヘテロ原子ドープ炭素上のブースト電荷蓄積の起源【JST・京大機械翻訳】

Origins of Boosted Charge Storage on Heteroatom-Doped Carbons

著者 (12件)：

Cui Cuixia

(College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)

Gao Yong

(School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, 710072, China)

Li Jun

(College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)

Li Jun

(Department of Chemistry and Biochemistry, University of Windsor, Windsor, ON, N9B3P4, Canada)

Yang Chao

(College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)

Liu Meng

(College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)

Jin Huile

(College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)

Xia Zhenhai

(Department of Materials Science and Engineering, University of North Texas, Denton, TX, 76203, USA)

Dai Liming

(Center of Advanced Science and Engineering for Carbon, School of Chemical Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, 2052, Australia)

Lei Yong

(Fachgebiet Angewandte Nanophysik, Institut fuer Physik & IMN MacroNano (ZIK), Technische Universitaet Ilmenau, Ilmenau, 98693, Germany)

Wang Jichang

(Department of Chemistry and Biochemistry, University of Windsor, Windsor, ON, N9B3P4, Canada)

Wang Shun

(College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)

資料名：

Angewandte Chemie (Angewandte Chemie)

巻： 132 号： 20 ページ： 8002-8007 発行年： 2020年
JST資料番号： A0396A ISSN： 0044-8249 CODEN： ANCEAD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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