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文献
J-GLOBAL ID：202002230994156673
整理番号：20A0298978
多層WSe_2におけるバンドギャップ発展とキャリア再分布の解明:熱工学による増強光子放出【JST・京大機械翻訳】
Unveiling Bandgap Evolution and Carrier Redistribution in Multilayer WSe2: Enhanced Photon Emission via Heat Engineering
Li Yuanzheng
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Li Yuanzheng
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China)
,
Liu Weizhen
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Xu Haiyang
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Chen Heyu
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Ren Hang
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Shi Jia
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China)
,
Du Wenna
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China)
,
Du Wenna
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China)
,
Zhang Wei
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Feng Qiushi
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Yan Jiaxu
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Zhang Cen
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Liu Yichun
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China)
,
Liu Xinfeng
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China)
資料名：
Advanced Optical Materials
(Advanced Optical Materials)
巻： 8 号： 2 ページ： e1901226 発行年： 2020年
JST資料番号： W2486A ISSN： 2195-1071 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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