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文献
J-GLOBAL ID：202002231184001175
整理番号：20A0333158
Al_2O_3不動態化による中波長赤外HgCdTDベースNbN構造における拡散制限暗電流【JST・京大機械翻訳】
Diffusion-limited dark currents in mid-wave infrared HgCdTd-based nBn structures with Al2O3 passivation
Voitsekhovskii A V
(National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia)
,
Nesmelov S N
(National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia)
,
Dzyadukh S M
(National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia)
,
Dvoretsky S A
(National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia)
,
Dvoretsky S A
(A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Mikhailov N N
(A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Sidorov G Y
(A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Yakushev M V
(A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53 号： 5 ページ： 055107 (6pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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