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文献
J-GLOBAL ID：202002231186806463
整理番号：20A1060376
LPCVD法により成長させたZnO:B膜の性質に及ぼすホウ素ドーピング量の影響とa-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池との相関【JST・京大機械翻訳】
Influence of boron doping amount on properties of ZnO:B films grown by LPCVD technique and its correlation to a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells
Li Wang
(The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China)
,
Du Jiangping
(Institute of Business Administration, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China)
,
Tang Lu
(The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China)
,
Tian Yahui
(The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China)
,
Xue Fei
(The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China)
,
Jiang Qianshao
(3D SolarTech Co. Ltd., Yuyao, Zhejiang, China)
,
Pan Shengjiang
(3D SolarTech Co. Ltd., Yuyao, Zhejiang, China)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31 号： 9 ページ： 6654-6663 発行年： 2020年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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