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J-GLOBAL ID:202002231940226009   整理番号:20A0899596

固有の低ターンオン電圧と超低逆漏れ電流を持つ三ゲートハイブリッドアノードAlGaN/GaN電力ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Tri-Gated Hybrid Anode AlGaN/GaN Power Diode With Intrinsic Low Turn-on Voltage and Ultralow Reverse Leakage Current
著者 (7件):
Zhou Qi
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
Chen Kuangli
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
Huang Peng
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
Han Xiaoqi
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
Xiong Wei
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
Chen Wanjun
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
Zhang Bo
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 67  号:ページ: 1712-1717  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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