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文献
J-GLOBAL ID：202002232025678520
整理番号：20A0274899
CHF_3/O_2ガス中のCrドープSb_2Te_3相変化材料の反応性イオンエッチング【JST・京大機械翻訳】
Reactive ion etching of Cr-doped Sb2Te3 phase change materials in CHF3/O2 gas
Li Yuxiang
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Li Yuxiang
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Wang Fang
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Wang Fang
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Wang Luguang
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Wang Luguang
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Huang Jinrong
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Huang Jinrong
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Dong Kaifei
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Dong Kaifei
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Hu Kai
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Hu Kai
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Han Yemei
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Han Yemei
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
,
Song Zhitang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Zhang Kailiang
(Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China)
,
Zhang Kailiang
(Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 222 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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