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文献
J-GLOBAL ID：202002232101106289
整理番号：20A0910380
2トランジスタと2抵抗器を持つ高面積効率低電力SRAMセル【JST・京大機械翻訳】
Highly Area-Efficient Low-Power SRAM Cell with 2 Transistors and 2 Resistors
Li Jiayi
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Zhou Peng
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Li Jingyu
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Ding Yi
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Liu Chunsen
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Hou Xiang
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Chen Huawei
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Xiong Yan
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Zhang David Wei
(Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China)
,
Chai Yang
(The Hong Kong Polytechnic University,Department of Applied Physics,Hong Kong)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IEDM ページ： 23.3.1-23.3.4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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