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文献
J-GLOBAL ID：202002232469254157
整理番号：20A0419739
n-Si基板上の個々の金ナノ粒子の埋め込みと特性化によるナノSchottkyダイオードの性能指数の改良【JST・京大機械翻訳】
Improved figures of merit of nano-Schottky diode by embedding and characterizing individual gold nanoparticles on n-Si substrates
Abbas Yawar
(Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Rezk Ayman
(Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Anwer Shoaib
(Department of Mechanical Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Saadat Irfan
(Department of Electrical and Computer Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Nayfeh Ammar
(Department of Electrical and Computer Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Rezeq Moh’d
(Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Rezeq Moh’d
(Department of Electrical and Computer Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
,
Rezeq Moh’d
(System on Chip Center, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 31 号： 12 ページ： 125708 (8pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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