文献
J-GLOBAL ID:202002232955449222
整理番号:20A1577082
加工基板上のGaN垂直パワーFinFETの最初の実証【JST・京大機械翻訳】
First Demonstration of GaN Vertical Power FinFETs on Engineered Substrate
著者 (6件):
Zubair A.
(Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139)
,
Perozek J.
(Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139)
,
Niroula J.
(Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139)
,
Aktas O.
(Qromis, Inc.,Santa Clara,CA,U.S.A,95051)
,
Odnoblyudov V.
(Qromis, Inc.,Santa Clara,CA,U.S.A,95051)
,
Palacios T.
(Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)