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文献
J-GLOBAL ID：202002233285149387
整理番号：20A1746652
Sn変調ドーピングによる周囲温度でのp型Si_1-x-yGe_xSn_y薄膜における高い熱電性能の実現【JST・京大機械翻訳】
Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping
Peng Ying
(Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
,
Lai Huajun
(Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
,
Liu Chengyan
(Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
,
Gao Jie
(Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
,
Kurosawa Masashi
(Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Nakatsuka Osamu
(Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Takeuchi Tsunehiro
(Research Center for Smart Energy Technology, Toyota Technological Institute, Nagoya 468-8511, Japan)
,
Zaima Shigeaki
(Division of Materials Science and Engineering, Graduate School of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan)
,
Tanemura Sakae
(Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
,
Miao Lei
(Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 5 ページ： 053903-053903-5 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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