文献
J-GLOBAL ID:202002233367709063
整理番号:20A2763562
側面接触FEDに基づく雑音-免疫6T SRAMビットセル【JST・京大機械翻訳】
Noise-Immune 6T SRAM Bit-Cells Based on Side-Contacted FED
著者 (2件):
Ghafouri Tara
(Faculty of Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran)
,
Manavizadeh Negin
(Faculty of Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
67
号:
12
ページ:
5511-5519
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)