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文献
J-GLOBAL ID：202002233494987586
整理番号：20A1110592
パターン化Ga-As共ドーピングによる単層スタンネンにおける効率的なバンドギャップ開口:半導体ナノ電子デバイスに向けて【JST・京大機械翻訳】
Efficient band gap opening in single-layer stanene via patterned Ga-As codoping: Towards semiconducting nanoelectronic devices
Hongyan Li
(School of Management, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China)
,
Guixian Tian
(School of Business, Pingxiang University, Pingxiang, China)
,
Bin He
(School of Management, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China)
,
Dan Lu
(School of Management, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China)
,
Liu Zhenling
(School of Materials Science and Engineering, Henan University of Technology, China)
資料名：
Synthetic Metals
(Synthetic Metals)
巻： 264 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： C0123B ISSN： 0379-6779 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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