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文献
J-GLOBAL ID：202002233621803899
整理番号：20A1235561
フォトダイオード特性化により研究した原子拡散接合InGaAs/a-Ge/InGaAs構造を通る少数電子輸送
Minority-electron transport through atomic-diffusion-bonded InGaAs/a-Ge/InGaAs structure studied by photodiode characterization
Yamada Yuki
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Nada Masahiro
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Uomoto Miyuki
(Tohoku Univ., Research Institute of Electrical Communication Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan)
,
Shimatsu Takehito
(Tohoku Univ., Research Institute of Electrical Communication Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan)
,
Nakajima Fumito
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Hoshi Takuya
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Matsuzaki Hideaki
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 1 ページ： 016501 (5pp) 発行年： 2020年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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