文献
J-GLOBAL ID:202002233664584144
整理番号:20A1020970
高透過減衰位相シフトマスクによる先進メモリデバイスのための新しい改良計測法【JST・京大機械翻訳】
New improving metrology for advanced memory devices with high transmission attenuated phase shift mask
著者 (12件):
Chen Chia-Hung
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Tsao Sheng-Tsung
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Fan CongCong
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Du Jie
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Yang Richer
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Chou Asei
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Chen Kunyuan
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Chang Jimmy
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Zhang JunJun
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
He Wallace
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Zhang Leslie
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
,
Xia YunSheng
(ChangXin Memory Technologies, Inc. (China))
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
11325
ページ:
113252U-10
発行年:
2020年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)