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文献
J-GLOBAL ID：202002233768006438
整理番号：20A1662381
安定で効率的なペロブスカイト太陽電池のためのI/P界面改質【JST・京大機械翻訳】
I/P interface modification for stable and efficient perovskite solar cells
Jie Zhang
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Shixin Hou
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Renjie Li
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Bingbing Chen
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Fuhua Hou
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Xinghua Cui
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Jingjing Liu
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Qi Wang
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
,
Pengyang Wang
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Dekun Zhang
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Ying Zhao
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
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Xiaodan Zhang
(INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 41 号： 5 ページ： 75-81 発行年： 2020年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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