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文献
J-GLOBAL ID：202002233974973673
整理番号：20A0428772
自己集合分子単分子層によりドープしたシリコン中のホウ素の完全活性化【JST・京大機械翻訳】
Full Activation of Boron in Silicon Doped by Self-Assembled Molecular Monolayers
Gao Xuejiao
(University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Kolevatov Ilia
(Department of Physics, Center for Material Science and Nanotechnology, University of Oslo, Norway)
,
Chen Kaixiang
(University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Guan Bin
(University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China)
,
Mesli Abdelmadjid
(Institut Materiaux Microelectronique Nanosciences de Provence, UMR 6242 CNRS, Universite Aix-Marseille, France)
,
Monakhov Edouard
(Department of Physics, Center for Material Science and Nanotechnology, University of Oslo, Norway)
,
Dan Yaping
(University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2 号： 1 ページ： 268-274 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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