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J-GLOBAL ID:202002234436074509   整理番号:20A0493425

実時間電圧検出モジュールを用いた低電力高信頼性STT-MRAM書き込み方式【JST・京大機械翻訳】

A Low-power High-reliability STT-MRAM Write Scheme with Real-time Voltage Sensing Module
著者 (5件):
Li Hao
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
Yu Hongmei
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
Liu Dongsheng
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
Liu Peng
(Zhejiang Hikstor Technology Co., Ltd.,Hangzhou,China,311305)
Liu Bo
(Zhejiang Hikstor Technology Co., Ltd.,Hangzhou,China,311305)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2019  号: ASICON  ページ: 1-4  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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