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文献
J-GLOBAL ID：202002234436074509
整理番号：20A0493425
実時間電圧検出モジュールを用いた低電力高信頼性STT-MRAM書き込み方式【JST・京大機械翻訳】
A Low-power High-reliability STT-MRAM Write Scheme with Real-time Voltage Sensing Module
Li Hao
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
,
Yu Hongmei
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
,
Liu Dongsheng
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
,
Liu Peng
(Zhejiang Hikstor Technology Co., Ltd.,Hangzhou,China,311305)
,
Liu Bo
(Zhejiang Hikstor Technology Co., Ltd.,Hangzhou,China,311305)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： ASICON ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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