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文献
J-GLOBAL ID：202002234519984253
整理番号：20A0377987
RHEEDの散漫散乱を用いたプラズマ支援分子ビームエピタクシーによるIII-窒化物材料の成長のモニタリング【JST・京大機械翻訳】
Monitoring the growth of III-nitride materials by plasma assisted molecular beam epitaxy employing diffuse scattering of RHEED
Sen Sayantani
(Centre for Research in Nanoscience and Nanotechnology, University of Calcutta, Kolkata 700106, India)
,
Paul Suchismita
(Centre for Research in Nanoscience and Nanotechnology, University of Calcutta, Kolkata 700106, India)
,
Singha Chirantan
(Centre for Research in Nanoscience and Nanotechnology, University of Calcutta, Kolkata 700106, India)
,
Saha Anirban
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India)
,
Das Alakananda
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India)
,
Guha Roy Pushan
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India)
,
Pramanik Pallabi
(Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah 711103, India)
,
Bhattacharyya Anirban
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38 号： 1 ページ： 014007-014007-7 発行年： 2020年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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