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J-GLOBAL ID：202002235028608025 整理番号：20A0899623

酸化物とIV族半導体のタイプIIヘテロトンネル接合を持つ二層構造のpチャネルTFET動作【JST・京大機械翻訳】

p-Channel TFET Operation of Bilayer Structures With Type-II Heterotunneling Junction of Oxide- and Group-IV Semiconductors

著者 (9件)：

Kato Kimihiko

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)

Jo Kwang-Won

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

Matsui Hiroaki

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

Tabata Hitoshi

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

Mori Takahiro

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)

Morita Yukinori

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)

Matsukawa Takashi

(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)

Takenaka Mitsuru

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

Takagi Shinichi

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

資料名：

IEEE Transactions on Electron Devices (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻： 67 号： 4 ページ： 1880-1886 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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