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文献
J-GLOBAL ID：202002235099264004
整理番号：20A1020301
青色高出力InGaN半導体レーザダイオード:最適性能と信頼性のためのレーザ棒と単一エミッタの設計最適化【JST・京大機械翻訳】
Blue high power InGaN semiconductor laser diodes: design optimization of laser bars and single emitters for best performance and reliability
Konig Harald
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Gerhard Sven
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Ali Muhammad
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Heine Urs
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Tautz Sonke
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Eichler Christoph
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Bruederl Georg
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Peter Matthias
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Lell Alfred
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Behringer Martin
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Keidler Markus
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Haupeltshofer Tobias
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Walter Christoph
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH (Germany))
,
Baumann Markus
(Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH (Germany))
,
Balck Anne
(Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH (Germany))
,
Krause Volker
(Laserline Gesellschaft fuer Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH (Germany))
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 11262 ページ： 112620Q-9 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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