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文献
J-GLOBAL ID：202002235397158887
整理番号：20A1061656
高出力レーザ放射の多重接合コンバータ用のp-i-n GaAs/AlGaAsトンネルダイオードの開発と研究【JST・京大機械翻訳】
Development and Study of the p-i-n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation
Kalinovskii V. S.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Kontrosh E. V.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Klimko G. V.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Ivanov S. V.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Yuferev V. S.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Ber B. Y.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Kazantsev D. Y.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Andreev V. M.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 54 号： 3 ページ： 355-361 発行年： 2020年
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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