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文献
J-GLOBAL ID：202002235540927836
整理番号：20A2501594
相変化メモリ応用のためのエピタキシャルダイオードアレイにおける駆動電流とクロストーク効果の最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimization of driving current and crosstalk effect in epitaxial diode array for phase change memory application
Li Yang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Li Yang
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China)
,
Cai Dao-Lin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Chen Yi-Feng
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Wu Lei
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Wu Lei
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China)
,
Liu Yuan-Guang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Liu Yuan-Guang
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China)
,
Yan Shuai
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Yan Shuai
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China)
,
Yu Li
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Yu Li
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China)
,
Liu Wei-Li
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
,
Song Zhi-Tang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 35 号： 11 ページ： 115001 (6pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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