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文献
J-GLOBAL ID：202002237149894763
整理番号：20A0484286
高周波マグネトロンスパッタリングにより作製したCu_4O_3薄膜における窒素ドーピング効果【JST・京大機械翻訳】
Nitrogen Doping Effect in Cu4O3 Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering
Patwary Md Abdul Majed
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan)
,
Saito Katsuhiko
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan)
,
Guo Qixin
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan)
,
Tanaka Tooru
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan)
,
Man Yu Kin
(Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong)
,
Man Yu Kin
(Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Walukiewicz Wladek
(Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Walukiewicz Wladek
(Department of Materials Science and Engineering, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257 号： 2 ページ： e1900363 発行年： 2020年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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