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文献
J-GLOBAL ID：202002237279228488
整理番号：20A0573617
超高輝度InGaNマイクロ発光ダイオード(μLED)を実現するための直接エピタキシャル法【JST・京大機械翻訳】
A Direct Epitaxial Approach To Achieving Ultrasmall and Ultrabright InGaN Micro Light-Emitting Diodes (μLEDs)
Bai Jie
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
,
Cai Yuefei
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
,
Feng Peng
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
,
Fletcher Peter
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
,
Zhao Xuanming
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
,
Zhu Chenqi
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
,
Wang Tao
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
資料名：
ACS Photonics
(ACS Photonics)
巻： 7 号： 2 ページ： 411-415 発行年： 2020年
JST資料番号： W5045A ISSN： 2330-4022 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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