文献
J-GLOBAL ID:202002237798763444
整理番号:20A0405377
原子的に薄いMOS_2FETにおける量子力学効果【JST・京大機械翻訳】
Quantum-mechanical effect in atomically thin MoS2 FET
著者 (3件):
Fang Nan
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Fang Nan
(Present address: RIKEN, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan)
,
Nagashio Kosuke
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名:
2D Materials
(2D Materials)
巻:
7
号:
1
ページ:
014001 (6pp)
発行年:
2020年
JST資料番号:
W5550A
ISSN:
2053-1583
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)