文献
J-GLOBAL ID:202002238193875477
整理番号:20A0598513
低電圧下の大メモリ窓を持つ電荷捕獲メモリ素子のためのGdドープHfO_2単一膜【JST・京大機械翻訳】
A Gd-doped HfO2 single film for a charge trapping memory device with a large memory window under a low voltage
著者 (7件):
Shen Yuxin
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, GRINM Group Co., Ltd., Beijing 100088, China. weifeng@grinm.com)
,
Zhang Zhaohao
,
Zhang Qingzhu
,
Wei Feng
,
Yin Huaxiang
,
Wei Qianhui
,
Men Kuo
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
10
号:
13
ページ:
7812-7816
発行年:
2020年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)