文献
J-GLOBAL ID:202002238506782830
整理番号:20A0585647
薄膜トランジスタにおける表面複合量子ドットの電荷輸送特性【JST・京大機械翻訳】
Charge Transport Characteristics of Surface-Complexed Quantum Dot in a Thin Film Transistor
著者 (5件):
Gogoi Kasturi
(Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India)
,
Pramanik Sabyasachi
(Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India)
,
Pramanik Sabyasachi
(Department of Chemistry, National Institute of Technology Sikkim, Sikkim, 737139, India)
,
Chattopadhyay Arun
(Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India)
,
Chattopadhyay Arun
(Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India)
資料名:
Advanced Materials Interfaces
(Advanced Materials Interfaces)
巻:
7
号:
4
ページ:
e1901665
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2484A
ISSN:
2196-7350
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)