文献
J-GLOBAL ID:202002238555529530
整理番号:20A1884358
ドレインおよびゲートバイアス電圧を考慮した有機薄膜トランジスタのリカバリーを考慮したバイアスストレス劣化モデル
Recovery-aware bias-stress degradation model for organic thin-film transistors considering drain and gate bias voltages
著者 (5件):
Oshima Kunihiro
(Department of Communications and Computer Engineering, Graduate School of Informatics, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Shintani Michihiro
(Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
,
Kuribara Kazunori
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
,
Ogasahara Yasuhiro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
,
Sato Takashi
(Department of Communications and Computer Engineering, Graduate School of Informatics, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
SG
ページ:
SGGG08 (8pp)
発行年:
2020年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)