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文献
J-GLOBAL ID：202002238850775590
整理番号：20A0145851
希薄-As InGaNAs合金の電子特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】
Electronic properties of dilute-As InGaNAs alloys: A first-principles study
Borovac Damir
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
,
Sun Wei
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
,
Tan Chee-Keong
(Department of Electrical and Computer Engineering, Clarkson University, Potsdam, New York 13699, USA)
,
Tansu Nelson
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 127 号： 1 ページ： 015103-015103-6 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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