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文献
J-GLOBAL ID：202002239207748942
整理番号：20A1262566
Ar/N2ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板窒化度の窒素流量依存性
Nitrogen Flow Rate Dependence in Nitridation Degree of Si Substrate using Ar/N2 Loop Type of Induction Thermal Plasmas
杉山祐樹
(金沢大)
,
大関元紀
(金沢大)
,
田中康規
(金沢大)
,
中野裕介
(金沢大)
,
上杉喜彦
(金沢大)
,
石島達夫
(金沢大)
,
幸本徹哉
(シー・ヴィー・リサーチ)
,
川浦廣
(シー・ヴィー・リサーチ)
資料名：
電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)
(Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2020 ページ： ROMBUNNO.1-114 発行年： 2020年03月01日
JST資料番号： S0653B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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