文献
J-GLOBAL ID:202002239792297225
整理番号:20A1580377
二層MoS_2におけるゲート誘起キャリア蓄積に及ぼす層間積層の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS2
著者 (3件):
Maruyama Mina
(Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan)
,
Nagashio Kosuke
(Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, Japan)
,
Okada Susumu
(Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan)
資料名:
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻:
2
号:
5
ページ:
1352-1357
発行年:
2020年
JST資料番号:
W5669A
ISSN:
2637-6113
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)