文献
J-GLOBAL ID:202002240028038653
整理番号:20A0377940
抵抗スイッチングチャネルとしてCVD単分子層MOS_2を用いた強誘電体メモリ電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Ferroelectric memory field-effect transistors using CVD monolayer MoS2 as resistive switching channel
著者 (5件):
Shen Pin-Chun
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
Lin Chungwei
(Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge Massachusetts 02139, USA)
,
Wang Haozhe
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
Teo Koon Hoo
(Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge Massachusetts 02139, USA)
,
Kong Jing
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
116
号:
3
ページ:
033501-033501-5
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)