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文献
J-GLOBAL ID：202002240331759274
整理番号：20A2380999
熱処理による六方晶窒化ホウ素-カプセル化MoTe_2単分子層における不均一広がりの減少【JST・京大機械翻訳】
Reduced Inhomogeneous Broadening in Hexagonal Boron Nitride-Encapsulated MoTe2 Monolayers by Thermal Treatment
Hayashida Shunya
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan)
,
Saitoh Risa
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan)
,
Watanabe Kenji
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
,
Sawano Kentarou
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan)
,
Hoshi Yusuke
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2 号： 9 ページ： 2739-2744 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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