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文献
J-GLOBAL ID：202002241364783701
整理番号：20A0419694
Si上のAlGaN/GaNヘテロ構造におけるバッファ誘起電流劣化を抑制するためのデュアルチャネル設計【JST・京大機械翻訳】
Dual-channel design to suppress buffer induced current degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si
Hu Anqi
(State Key Laboratory for Information Photonics and Optical communications, School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, People’s Republic of China)
,
He Xiaoying
(State Key Laboratory for Information Photonics and Optical communications, School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, People’s Republic of China)
,
Guo Xia
(State Key Laboratory for Information Photonics and Optical communications, School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, People’s Republic of China)
,
Guo Xia
(Beijing Key Laboratory of Work Safety Intelligent Monitoring (Beijing University of Posts and Telecommunications), Beijing 100876, People’s Republic of China)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 31 号： 11 ページ： 115202 (4pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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