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文献
J-GLOBAL ID：202002241398201730
整理番号：20A1425582
蛍石構造に基づく強誘電体HfO_2メモリFeFETの温度依存性動作に関する研究:焦電性と信頼性【JST・京大機械翻訳】
A Study on the Temperature-Dependent Operation of Fluorite-Structure-Based Ferroelectric HfO2 Memory FeFET: Pyroelectricity and Reliability
Ali T.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Kuhnel K.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Czernohorsky M.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Mart C.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Rudolph M.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Patzold B.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Lehninger D.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Olivo R.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Lederer M.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Muller F.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Hoffmann R.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Metzger J.
(GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Company KG, Dresden, Germany)
,
Binder R.
(GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Company KG, Dresden, Germany)
,
Steinke P.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Kampfe T.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Muller J.
(GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Company KG, Dresden, Germany)
,
Seidel K.
(Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany)
,
Eng L. M.
(Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 7 ページ： 2981-2987 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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