文献
J-GLOBAL ID:202002241589225577
整理番号:20A2254440
汚染とエージング条件下のSiR絶縁体のDCフラッシュオーバに及ぼす蓄積表面電荷の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of accumulated surface charges on DC flashover of SiR insulators under pollution and aging conditions
著者 (3件):
Mahmoodi Jamshid
(Faculty of Electrical and Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran)
,
Mirzaie Mohammad
(Faculty of Electrical and Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran)
,
Shayegani Akmal Amir Abbas
(Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran)
資料名:
Electrical Engineering
(Electrical Engineering)
巻:
102
号:
4
ページ:
2123-2133
発行年:
2020年
JST資料番号:
A0448A
ISSN:
0948-7921
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)