文献
J-GLOBAL ID:202002241890589588
整理番号:20A2501372
歪緩和制御によるAlGaN系深紫外発光ダイオードの電流注入効率の増強【JST・京大機械翻訳】
Enhancement of current injection efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by controlling strain relaxation
著者 (3件):
Hao Guo-Dong
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe 651-2492, Japan)
,
Taniguchi Manabu
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe 651-2492, Japan)
,
Inoue Shin-Ichiro
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe 651-2492, Japan)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
53
号:
50
ページ:
505107 (7pp)
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)