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文献
J-GLOBAL ID：202002242169684213
整理番号：20A2223232
Gm-Cフィルタの設計に適用した実験的シリコントンネル-FETデバイスモデル【JST・京大機械翻訳】
Experimental silicon tunnel-FET device model applied to design a Gm-C filter
Rangel R S
( LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Rangel R S
( ECE, University of Toronto, Toronto, Canada)
,
Agopian P G D
( LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Agopian P G D
( UNESP, Sao Paulo State University, Sao Joao da Boa Vista, Brazil)
,
Martino J A
( LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 35 号： 9 ページ： 095029 (7pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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