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文献
J-GLOBAL ID：202002242211185092
整理番号：20A0809632
シリコンの二段階局所酸化に基づくKOHエッチングの信頼できる適合性を有する修飾Au/バルクSi共晶結合構造【JST・京大機械翻訳】
Modified Au/bulk Si eutectic bonding structure with reliable compatibility of KOH etching based on two-step local oxidation of silicon
Liang Hengmao
(Science and Technology on Microsystem Laboratory, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, No.865 Changning Road, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Liang Hengmao
(University of Chinese Academy of Sciences (UCAS), No.19(A) Yuquan Road, Beijing 100049, People’s Republic of China)
,
Xiong Bin
(Science and Technology on Microsystem Laboratory, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, No.865 Changning Road, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 35 号： 5 ページ： 055017 (8pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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