文献
J-GLOBAL ID:202002242937826481
整理番号:20A0746752
欠陥の多いEu_2znSb_2-xBi_x合金における例外的に高い電子移動度【JST・京大機械翻訳】
Exceptionally high electronic mobility in defect-rich Eu2ZnSb2-xBix alloys
著者 (8件):
Chanakian Sevan
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA. alexzev@msu.edu)
,
Uhl David
,
Neff David
,
Drymiotis Fivos
,
Park Junsoo
,
Petkov Valeri
,
Zevalkink Alexandra
,
Bux Sabah
資料名:
Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability
(Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻:
8
号:
12
ページ:
6004-6012
発行年:
2020年
JST資料番号:
W0204B
ISSN:
2050-7488
CODEN:
JMCAET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)