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文献
J-GLOBAL ID：202002242972051117
整理番号：20A0546803
GaNパワーモジュールにおける熱疲労抵抗Ag焼結接合のためのNi/Ti/AgメタライゼーションによるDBA基板の強化【JST・京大機械翻訳】
Strengthening of DBA substrate with Ni/Ti/Ag metallization for thermal fatigue-resistant Ag sinter joining in GaN power modules
Kim Dongjin
(Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita-shi, Osaka, Japan)
,
Kim Dongjin
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki-shi, Osaka, Japan)
,
Chen Chuantong
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki-shi, Osaka, Japan)
,
Lee Seung-Joon
(Department of Advanced Materials Engineering, Korea Polytechnic University, Siheung, Republic of Korea)
,
Nagao Shijo
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki-shi, Osaka, Japan)
,
Suganuma Katsuaki
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki-shi, Osaka, Japan)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31 号： 4 ページ： 3715-3726 発行年： 2020年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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