前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:202002243608573447   整理番号:20A1190043

低照度下3.5Vの高い開回路電圧を持つiotデバイス用の両面非晶質Si五重接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Bifacial amorphous Si quintuple-junction solar cells for IoT devices with high open-circuit voltage of 3.5V under low illuminance
著者 (2件):
Konagai Makoto
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Tokyo, 158-0082, Japan)
Sasaki Ryo
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Tokyo, 158-0082, Japan)

資料名:
Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)

巻: 28  号:ページ: 554-561  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。