前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：202002243646654449 整理番号：20A0899588

ガンマ線照射に耐性の電界放出画像センサの開発【JST・京大機械翻訳】

Development of a Field Emission Image Sensor Tolerant to Gamma-Ray Irradiation

著者 (11件)：

Gotoh Yasuhito

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)

Tsuji Hiroshi

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)

Nagao Masayoshi

(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)

Masuzawa Tomoaki

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)

Neo Yoichiro

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)

Mimura Hidenori

(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)

Okamoto Tamotsu

(Kisarazu College, National Institute of Technology, Kisarazu, Japan)

Igari Tomoya

(Kisarazu College, National Institute of Technology, Kisarazu, Japan)

Akiyoshi Masafumi

(Radiation Research Center, Osaka Prefecture University, Sakai, Japan)

Sato Nobuhiro

(Institute for Integrated Radiation and Nuclear Science, Kyoto University, Kumatori, Japan)

Takagi Ikuji

(Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)

資料名：

IEEE Transactions on Electron Devices (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻： 67 号： 4 ページ： 1660-1665 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM