文献
J-GLOBAL ID:202002243918925631
整理番号:20A0496452
III-VI層状化合物によるエピタキシャルGaAsリフトオフ【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial GaAs Lift Off via III-VI Layered Compounds
著者 (6件):
Kojima Nobuaki
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Wang Yu-Cian
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Kawakatsu Kei
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Yamamoto Akio
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Ohshita Yoshio
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
,
Yamaguchi Masafumi
(Toyota Technological Institute,Nagoya,Japan,468-8511)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
PVSC
ページ:
1015-1017
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)