文献
J-GLOBAL ID:202002244494181514
整理番号:20A0471567
超低逆電流と高感度のAu-InSe van der Waals Schottky接合【JST・京大機械翻訳】
Au-InSe van der Waals Schottky junctions with ultralow reverse current and high photosensitivity
著者 (10件):
Hu Siqi
(MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry under Extraordinary Conditions, and Shaanxi Key Laboratory of Optical Information Technology, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710129, China. xuetaogan@nwpu.edu.cn)
,
Zhang Qiao
,
Luo Xiaoguang
,
Zhang Xutao
,
Wang Tao
,
Cheng Yingchun
,
Jie Wanqi
,
Zhao Jianlin
,
Mei Ting
,
Gan Xuetao
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
12
号:
6
ページ:
4094-4100
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)