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文献
J-GLOBAL ID:202002244494181514   整理番号:20A0471567

超低逆電流と高感度のAu-InSe van der Waals Schottky接合【JST・京大機械翻訳】

Au-InSe van der Waals Schottky junctions with ultralow reverse current and high photosensitivity
著者 (10件):
Hu Siqi
(MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry under Extraordinary Conditions, and Shaanxi Key Laboratory of Optical Information Technology, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710129, China. xuetaogan@nwpu.edu.cn)
Zhang Qiao
Luo Xiaoguang
Zhang Xutao
Wang Tao
Cheng Yingchun
Jie Wanqi
Zhao Jianlin
Mei Ting
Gan Xuetao

資料名:
Nanoscale  (Nanoscale)

巻: 12  号:ページ: 4094-4100  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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