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文献
J-GLOBAL ID：202002244619029942
整理番号：20A0199211
プラズマに基づくイオン注入システムと組み合わせた反応性高出力インパルスマグネトロンスパッタリングによる電気伝導度を持つシリコンドープダイヤモンド状炭素膜の作製【JST・京大機械翻訳】
Preparation of silicon-doped diamond-like carbon films with electrical conductivity by reactive high-power impulse magnetron sputtering combined with a plasma-based ion implantation system
Shibata Yuki
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Shibata Yuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) - Chubu, 2266-98 Anagahora, Moriyama, Nagoya 463-8560, Japan)
,
Kimura Takashi
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Nakao Setsuo
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) - Chubu, 2266-98 Anagahora, Moriyama, Nagoya 463-8560, Japan)
,
Azuma Kingo
(Department of Electrical Materials and Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 101 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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