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文献
J-GLOBAL ID:202002245356677249   整理番号:20A0513982

コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製

Simple Photoelectrochemical Etching for Recess Gate GaN HEMT
著者 (9件):
堀切文正
(サイオクス)
福原昇
(サイオクス)
渡久地政周
(北大)
三輪和希
(北大)
成田好伸
(サイオクス)
市川磨
(サイオクス)
磯野僚多
(サイオクス)
田中丈士
(サイオクス)
佐藤威友
(北大)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 119  号: 408(ED2019 93-105)  ページ: 25-28  発行年: 2020年01月24日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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