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文献
J-GLOBAL ID：202002245558601607
整理番号：20A1204379
ポストアニーリングによる高ホウ素ドープダイヤモンドへのルテニウムOhm接触の特性【JST・京大機械翻訳】
Characteristics of ruthenium ohmic contact to heavily boron doped diamond by post-annealing
Song Wangzhen
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Song Wangzhen
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Zhao Dan
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Zhao Dan
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Wang Juan
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Wang Juan
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Liu Zhangcheng
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Liu Zhangcheng
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Wang Yanfeng
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Wang Yanfeng
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Chang Xiaohui
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Chang Xiaohui
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Wang Ruozheng
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Wang Ruozheng
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Wang Wei
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Wang Wei
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Abbasi Haris Naeem
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Abbasi Haris Naeem
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Wang Hongxing
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)
,
Wang Hongxing
(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 106 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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