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文献
J-GLOBAL ID：202002245771161911
整理番号：20A0827038
SiN不動態化n極GaN深リセスHEMTのWバンド電力性能【JST・京大機械翻訳】
W-Band Power Performance of SiN-Passivated N-Polar GaN Deep Recess HEMTs
Romanczyk Brian
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Mishra Umesh K.
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Zheng Xun
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Guidry Matthew
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Li Haoran
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Hatui Nirupam
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Wurm Christian
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Krishna Athith
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Ahmadi Elaheh
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Keller Stacia
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 41 号： 3 ページ： 349-352 発行年： 2020年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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