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文献
J-GLOBAL ID:202002246201321379   整理番号:20A0513987

注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造

Operation Principle and Structure of Normally-off Floating Gate GaN HEMT with Injection Gate
著者 (11件):
南雲謙志
(東北大 大学院工学研究科)
木本大幾
(東北大 大学院工学研究科)
諏訪智之
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
寺本章伸
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
寺本章伸
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
白田理一郎
(交通大)
高谷信一郎
(交通大)
黒田理人
(東北大 大学院工学研究科)
黒田理人
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
須川成利
(東北大 大学院工学研究科)
須川成利
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 119  号: 408(ED2019 93-105)  ページ: 55-58  発行年: 2020年01月24日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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