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文献
J-GLOBAL ID：202002246201321379
整理番号：20A0513987
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
Operation Principle and Structure of Normally-off Floating Gate GaN HEMT with Injection Gate
南雲謙志
(東北大 大学院工学研究科)
,
木本大幾
(東北大 大学院工学研究科)
,
諏訪智之
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
,
寺本章伸
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
,
寺本章伸
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
,
白田理一郎
(交通大)
,
高谷信一郎
(交通大)
,
黒田理人
(東北大 大学院工学研究科)
,
黒田理人
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
,
須川成利
(東北大 大学院工学研究科)
,
須川成利
(東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119 号： 408(ED2019 93-105) ページ： 55-58 発行年： 2020年01月24日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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